什么是GaN基LED外延层的激光剥离技术

  激光剥离技术（LLO）是利用激光能量分解GaN蓝宝石界面处的GaN缓冲层，从而实现LED外延片从蓝宝石衬底分离的技术。GaN基外延层的激光剥离技术在行业中应用广泛，主要是为了解决GaN基材料生长、器件制作和运行时由蓝宝石引起的一系列严重问题而发展起来的一种技术，对于研究GaN基材料中的物理问题及发展GaN基材料新的外延技术和器件结构都具有十分重要的意义。
  利用薄膜剥离技术结合芯片黏结技术，将GaN与其它材料结合在一起剥离Al₂O₃衬底，当一束脉冲激光通过透明的Al₂O₃衬底照射到GaN薄膜上时，会被界面层的GaN吸收，导致界面温度升高。当温度达到900℃左右时GaN就会分解，使得GaN外延层与Al₂O₃ 衬底分离。